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杨少军科技参赞出席奥中科技交流协会2018年年会
2018/12/03

  11月18日,驻奥使馆科技参赞杨少军应邀出席奥中科技交流协会2018年年会。旅奥华侨华人科技界人士约50人参会。

  杨少军参赞致辞介绍了中国推动科技创新和国际创新合作有关情况,表示中奥科技创新合作有很好的互补性和巨大发展潜力。越来越多的中奥企业、科研单位对开展双边科技创新合作表现出浓厚兴趣。今年4月,奥地利总统范德贝伦率团访华,两国政府有关部门签署“关于深化应用研究和创新领域合作的联合声明”和“关于科研人员交流的谅解备忘录”。根据这两个合作文件,中奥双方将对等出资共同支持两国科技创新合作与科技人才交流。大约将在2019年3月和9月公布合作项目征集指南。每个项目的经费支持强度较以前的中奥政府间科技交流计划有大幅度提升。欢迎有合作基础和具备条件的中奥双方企业、研究机构、大学的科技人士关注和申报。希望奥中科技交流协会和在奥华侨华人科技人士抓住机遇,积极发挥桥梁作用,不断增进中奥合作单位之间的相互了解,促进互信、互利、共赢的合作。

  会上,奥中科技交流协会会长姜钧伟博士对协会一年来的工作进行了总结并介绍了2019年度工作计划。在奥企业、大学工作和学习的华侨华人科技人士作了“芯片行业的产业与技术现状”、“超强超快激光的产生和应用”、“汽车电池包结构与连接技术”专业报告。与会人士进行了热烈、深入的交流。

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